工作职责:
1.负责SiC晶体加工、定向、切割、倒角、镭刻工艺改善和优化;2.负责SiC衬底研磨减薄工艺改善和优化;3.负责SiC衬底CMP抛光工艺改善和优化;4.负责SiC衬底刷洗、最终清洗等工艺改善和优化;5.不良分析及解决、产品良率的提升。
任职资格:
硕士/博士学历,半导体物理、材料、物理等相关专业,Si/SiC/金刚石材料切割研发方向优先考虑。